Walter Schottky Institute
Center for Nanotechnology and Nanomaterials


Dr. Rui Nuno Pereira

Dr. Rui Nuno Pereira


Room S303
Tel.: (+49) 089 289 11361


Publications

Anhydrous Ethanol Dehydrogenation on MOCVD-Grown GaN(0001)
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 121, 16393 (2017)
C. A. Walenta, S. L. Kollmannsberger, R. N. Pereira, M. Tschurl, M. Stutzmann, U. Heiz
Online Ref
Doping-Dependent Adsorption and Photon-Stimulated Desorption of CO on GaN(0001)
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 121, 8473-8479 (2017)
S. L. Kollmannsberger, C. A. Walenta, A. Winnerl, S. Weiszer, R. N. Pereira, M. Tschurl, M. Stutzmann, U. Heiz
Online Ref
Efficient light-trapping with quasi-periodic uniaxial nanowrinkles for thin-film silicon solar cells
NANO ENERGY 35, 341-349 (2017)
S. K. Ram, D. Desta, R. Rizzoli, B. P. Falcão, E. H. Eriksen, M. Bellettato, B. R. Jeppesen, P. B. Jensen, C. Summonte, R. N. Pereira, A. Nylandsted Larsen, P. Balling
Online Ref
Ethanol Surface Chemistry on MBE-grown GaN(0001), GaOx/GaN(0001) and Ga2O3(-201)
THE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 147, 124704 (2017)
S. L. Kollmannsberger, C. A. Walenta, A. Winnerl, F. Knoller, R. N. Pereira, M. Tschurl, M. Stutzmann, U. Heiz
Online Ref
Photo-induced changes of the surface band bending in GaN: Influence of growth technique, doping and polarity
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121, 205307 (2017)
A. Winnerl, R. N. Pereira, M. Stutzmann
Online Ref
Silicon Nanocrystal Superlattice Nucleation and Growth
LANGMUIR 33, 13068 (2017)
A. Guillaussier, Y. Yu, V. Reddy Voggu, W. Aigner, C. Saez Cabezas, D. W. Houck, T. Shah, D. M. Smilgies, R. N. Pereira, M. Stutzmann, B. A. Korgel
Online Ref
A New Generation of Primary Luminescent Thermometers Based on Silicon Nanoparticles and Operating in Different Media
PARTICLE and PARTICLE SYSTEMS CHARACTERIZATION 33, 740-748 (2016)
A. M. P. Botas, C. D. S. Brites, J. Wu, U. Kortshagen, R. N. Pereira, L. D. Carlos, R. A. S. Ferreira
Online Ref
Influence of the surface termination on thelight emission of crystalline siliconnanoparticles
NANOTECHNOLOGY 27, 325703 (2016)
A. Botas, R. J. Anthony, J. Wu, D. J. Rowe, N. J. O. Silva, U. Kortshagen, R. N. Pereira, R. A. S. Ferreira
Online Ref
Nonthermal Plasma Synthesis of Nanocrystals: Fundamental Principles, Materials, and Applications
CHEMICAL REVIEWS 116, 11061-11127 (2016)
U. R. Kortshagen, R. M. Sankaran, R. N. Pereira, S. L. Girshick, J. J. Wu, E. S. Aydil
Online Ref
Novel back-reflector architecture withnanoparticle based buried light-scatteringmicrostructures for improved solar cellperformance
NANOSCALE 8, 12035 (2016)
D. Desta, S. K. Ram, R. Rizzoli, M. Bellettato, C. Summonte, B. R. Jeppesen, P. B. Jensen, Y. C. Tsao, H. Wiggers, R. N. Pereira, P. Balling, A. Nylandsted Larsen
Online Ref
Directly patterned TiO2 nanostructures forefficient light harvesting in thin film solar cells
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS 48, 365101 (2015)
S. K. Ram, D. Desta, B. R. Jeppesen, M. Bellettato, I. Samatov, Y. C. Tsao, S. R. Johannsen, P. T. Neuvonen, T. Garm Pedersen, R. N. Pereira, K. Pedersen, P. Balling, A. Nylandsted Larsen
Online Ref
Directly patterned TiO2 nanostructures forefficient light harvesting in thin film solar cells
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS 48, 365101 (2015)
S. K. Ram, D. Desta, B. R. Jeppesen, M. Bellettato, I. Samatov, Y. C. Tsao, S. R. Johannsen, P. T. Neuvonen, T. Garm Pedersen, R. N. Pereira, K. Pedersen, P. Balling, A. Nylandsted Larsen
Online Ref
Doped semiconductor nanoparticlessynthesized in gas-phase plasmas
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS 48, 314005 (2015)
R. N. Pereira, A. Almeida
Online Ref
Kinetics of optically excited charge carriers at the GaN surface
PHYSICAL REVIEW B 91, 75316 (2015)
A. Winnerl, R. N. Pereira, M. Stutzmann
Online Ref
Kinetics of optically excited charge carriers at the GaN surface: Influence of catalytic Ptnanostructures
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 118, 155704 (2015)
A. Winnerl, R. N. Pereira, M. Stutzmann
Online Ref
High Quantum Yield Dual Emission from Gas-Phase Grown Crystalline Si Nanoparticles
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 118, 10375-10383 (2014)
A. M. P. Botas, R. A. S. Ferreira, R. N. Pereira, R. J. Anthony, T. Moura, D. J. Rowe, U. Kortshagen
Online Ref
Resonant Electronic Coupling Enabled by Small Molecules in Nanocrystal Solids
NANO LETTERS 14, 3817-3826 (2014)
R. N. Pereira, J. Coutinho, S. Niesar, T. A. Oliveira, W. Aigner, H. Wiggers, M. J. Rayson, P. R. Briddon, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Depassivation kinetics in crystalline silicon nanoparticles
PHYSICAL REVIEW B 88, 155430 (2013)
R. N. Pereira, S. Niesar, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Exchange-Coupled Donor Dimers in Nanocrystal Quantum Dots
PHYSICAL REVIEW LETTERS 108, 126806 (2012)
R. N. Pereira, A. Almeida, A. Stegner, M. S. Brandt, H. Wiggers
Online Ref
Exchange-coupled dopants in Si quantum dots
APPLIED PHYSICS LETTERS 101, 93108 (2012)
A. Almeida, R. N. Pereira, M. S. Brandt
Online Ref
Freestanding silicon nanocrystals with extremely low defect content
PHYSICAL REVIEW B 86, 85449 (2012)
R. N. Pereira, D. J. Rowe, R. J. Anthony, U. Kortshagen
Online Ref
Low-cost post-growth treatments of crystalline silicon nanoparticles improving surface and electronic properties
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 22, 1190 (2012)
S. Niesar, R. N. Pereira, A. R. Stegner, N. Erhard, M. Hoeb, A. Baumer, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Oxidation of freestanding silicon nanocrystals probed with electron spinresonance of interfacial dangling bonds
PHYSICAL REVIEW B 83, 155327 (2011)
R. N. Pereira, D. J. Rowe, R. J. Anthony, U. Kortshagen
Online Ref
Purification of Nano-Porous Silicon for Biomedical Applications
ADVANCED BIOMATERIALS 13, B225 (2011)
S. Koynov, R. N. Pereira, I. Crnolatac, D. Kovalev, A. Huygens, V. Chirvony, M. Stutzmann, P. de Witte
Online Ref
Size Reduction and Phosphorus Doping of Silicon Nanocrystals Prepared by a Very High Frequency Plasma Deposition System
50, 25002 (2011)
Y. Nakamine, N. Inaba, T. Kodera, K. Uchida, R. N. Pereira, A. Stegner, M. S. Brandt, M. Stutzmann, S. Oda
Online Ref
Solution-processed networks of silicon nanocrystals: The role of internanocrystal medium on semiconducting behavior
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 115, 20120 (2011)
R. N. Pereira, S. Niesar, W. B. You, A. F. da Cunha, N. Erhard, A. R. Stegner, H. Wiggers, M. G. Willinger, M. Stutzmann, M. S. Brandt
Online Ref
Defect reduction in silicon nanoparticles by low-temperature vacuum annealing
APPLIED PHYSICS LETTERS 96, 193112 (2010)
S. Niesar, A. R. Stegner, R. N. Pereira, M. Hoeb, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Dielectric screening versus quantum confinement of phosphorus donors in silicon nanocrystals investigated by magnetic resonance
PHYSICAL REVIEW B 79, 161304 (2009)
R. N. Pereira, A. R. Stegner, T. Andlauer, K. Klein, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
PHYSICAL REVIEW B 80, 165326 (2009)
A. R. Stegner, R. N. Pereira, R. Lechner, K. Klein, H. Wiggers, M. Stutzmann, M. S. Brandt
Online Ref
Light-induced charge transfer in hybrid composites of organic semiconductors and silicon nanocrystals
APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 113301 (2009)
R. Dietmueller, A. R. Stegner, R. Lechner, S. Niesar, R. N. Pereira, M. S. Brandt, A. Ebbers, M. Trocha, H. Wiggers, M. Stutzmann
Online Ref
Electronic properties of doped silicon nanocrystal films
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104, 53701 (2008)
R. Lechner, A. Stegner, R. N. Pereira, R. Dietmueller, M. S. Brandt, A. Ebbers, M. Trocha, H. Wiggers, M. Stutzmann
Online Ref
Electronic Transport in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystal Networks
PHYSICAL REVIEW LETTERS 100, 26803 (2008)
A. R. Stegner, R. N. Pereira, K. Klein, R. Lechner, R. Dietmueller, M. S. Brandt, M. Stutzmann, H. Wiggers
Online Ref
Electronic transport through Si nanocrystal films: Spin-dependent conductivity studies
PHYSICA B - CONDENSED MATTER 401-402, 527-530 (2007)
R. N. Pereira, A. R. Stegner, K. Klein, R. Lechner, R. Dietmueller, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref
Phosphorus doping of Si nanocrystals: Interface defects and charge compensation
PHYSICA B - CONDENSED MATTER 401-402, 541-545 (2007)
A. R. Stegner, R. N. Pereira, K. Klein, H. Wiggers, M. S. Brandt, M. Stutzmann
Online Ref





Walter Schottky Institut About the Institute Research

Technische Universität München Annual Reports Photonics & Optoelectronics
Am Coulombwall 4 Events and News Quantum Technologies
D-85748 Garching History of WSI Energy Materials
Germany How to get to WSI Engineered Nanomaterials
Scientific Background Functional Interfaces
Tel: +49-(0)89-289-12761 Seminars Nanofabrication
Fax: +49-(0)89-289-12737 The WSI in Numbers

Partners Publications
(c) 2018 Walter Schottky Institut WSI Association

Intranet





Walter Schottky Institut Navigation

Technische Universität München Contact
Am Coulombwall 4 Groups
D-85748 Garching Institute
Germany Partners
Publications
Tel: +49-(0)89-289-12761 Research
Fax: +49-(0)89-289-12737 Groups
Intranet
(c) 2018 Walter Schottky Institut